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“低能量存储器”参数说明
| 存储器： | 2厘米 | 产量： | 1000 |
“低能量存储器”详细介绍
凭借F-RAM的固有快速写入能力和创新的IC设计，Ramtron已经实现了非易失性存储器的最低能耗存储。低能量存储器系列大幅度降低了系统功耗，同时依旧保持着F-RAM存储器的优势：低功耗、快速写入、高耐久性、伽马和抗电磁干扰。
节能减排的关键是控制能量消耗的时间。Ramtron F-RAM低能量存储器提供了RapidAccess？特性，它可以实现低能量存储器设备运转、写数据、少于20μs断电。其他非易失性存储器技术需要毫秒级的访问和低能耗写入—在同一时间—在等待存储器完成写操作完成的同时微控制器要消耗额外的能量。Ramtron 低能量存储器提供了高能效存储器的替代方案。
F-RAM 低能量存储器通过降低电压、电流和写入时间实现非常低的能量消耗。凭借这些因素，F-RAM 低能量存储器的能耗低的惊人——仅为EEPROM存储器的千分之一。
节能减排的关键是控制能量消耗的时间。Ramtron F-RAM低能量存储器提供了RapidAccess？特性，它可以实现低能量存储器设备运转、写数据、少于20μs断电。其他非易失性存储器技术需要毫秒级的访问和低能耗写入—在同一时间—在等待存储器完成写操作完成的同时微控制器要消耗额外的能量。Ramtron 低能量存储器提供了高能效存储器的替代方案。
F-RAM 低能量存储器通过降低电压、电流和写入时间实现非常低的能量消耗。凭借这些因素，F-RAM 低能量存储器的能耗低的惊人——仅为EEPROM存储器的千分之一。
“低能量存储器”其他说明
| 型号 | 容量 | 工作电流 (典型值) | 工作电压 | 上电时间 | 封装 |
| FM25P16 | 16Kb | 3.2 µA @ 100 kHz | 1.8-3.6V | 1ms | 8-pin SOIC |
| FM25LX64 | 64Kb | 20 µA @ 1 MHz | 1.5V | 15µs | 8-pin SOIC |
| FM25e64 | 64Kb | 20 µA @ 1 MHz | 1.8V, 1.5V | 10µs | 8-pin SOIC |
